Этот материал обладает отличными свойствами транспорта электронов. Транзисторы из InGaAs могут быстро обрабатывать сигналы и работать при относительно низком напряжении, то есть действительно способны повысить производительность компьютеров, пишет MIT News.

Интересно Квантовое преимущество: устройство выполнило 2,6 миллиарда лет вычислений за 4 минуты

Особенности материала

В малом масштабе транспорт электронов в материале ухудшается. Эта проблема заставила некоторых исследователей объявить InGaAs неподходящим материалом для производства транзисторов. Однако, как выяснили ученые из MIT, проблемы с производительностью арсенида индия-галлия происходят отчасти из-за захвата оксида, в результате чего электроны начинают хуже проходить через транзисторы.

Изучив их частотную зависимость – скорость, с которой электрические импульсы проходят через транзистор – специалисты обратили внимание, что на низких частотах производительность InGaAs падает. Но на частоте 1 ГГц и больше соединение работает отлично – не хуже, чем кремний.

Ученые уверены, что эту проблему можно решить, а также надеются, что их открытие вдохновит на новые исследования арсенида индия-галлия.

Для чего это нужно

Для того, чтобы рост мощности компьютеров не остановился, нужны более компактные транзисторы. На сегодня производство полупроводников основано на кремнии, но есть и альтернативы. Например, арсенид индия-галлия (InGaAs).

Другой альтернативой кремния в полевых транзисторах могут стать углеродные нанотрубки, однако до сих пор их производили в небольших количествах в лабораториях. Недавно специалисты из США предложили технологию создания CNFET в промышленных масштабах, так что есть надежда, что технологии на базе этого материала уже скоро получат широкое распространение.